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美光HBM专家：AI算力提速快于HBM 内存墙问题持续加剧

“内存墙依旧存在，甚至情况或许还在进一步恶化。”美光HBM设计架构方向专家拉古·斯里拉马内尼（Ragu Sriramaneni）于当地时间23日在美国斯坦福大学举办的半导体学术会议Hot Chips 2026上发表上述观点。内存墙指负责运算的芯片性能飞速提升，但负责传输数据的内存跟不上运算速度，由此产生的性能瓶颈。进入人工智能时代后，这一瓶颈非但没有缓解，反而愈发严重。斯里拉马内尼表示，AI芯片的运算性能每两年约提升3倍，但承担数据供给的HBM（高带宽内存）同期性能提升还不到2倍。即便搭载运算能力再强的芯片，如果数据传输通道狭窄，最终性能也会被通道速度所束缚。他预判：“打破运算单元与内存之间的边界，全新架构设计，将会是翻越内存墙的一条路径。” 斯里拉马内尼以一款将2颗GPU与8颗12层HBM4集成在一起的最新封装产品举例，该封装整体芯片面积当中，内存占比约90%。也就是说，内存占用的芯片面积，是负责运算的GPU的8倍以上。他称：“HBM体积还不及一枚邮票，却需要设计、工艺、封装技术全部完美匹配，是难度最高的产品。” 内存占用面积过大，也带来供给端的压力。要生产同等容量产品，HBM消耗的硅片晶圆数量约为普通DDR5内存的3倍。这意味着同一工厂，HBM的产出数量会被大幅压缩。斯里拉马内尼解释：“技术代际迭代，该差距还在持续拉大。速度提升、芯片尺寸变大、堆叠层数增加，都会同步推高所需芯片面积。” 散热问题也越来越成为发展阻碍。他补充，随着数据交互速率不断提高，散热已经成为设计阶段需要优先考量的约束条件。HBM为多层DRAM堆叠结构，发热最严重的底层产生的热量，需要穿透全部堆叠层，传导至带有散热装置的顶层。而DRAM一旦温度过高，就极易出现故障。他表示行业现已进入先测算散热，再搭建芯片架构的阶段，液冷散热、芯片超薄贴合等技术正成为主流解决方案。上述各类难题，都体现在美光近期开启量产的第六代产品HBM4之上。HBM将数据通路与存储单元相较上一代扩充一倍，大幅提升单次数据处理量，单颗Cube带宽可达每秒2.8TB。美光正将该产品供应给英伟达下一代AI芯片Vera Rubin。

2026年11月15日 15:34廖德雄阅读 6

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美光HBM专家：AI算力提速快于HBM 内存墙问题持续加剧
“内存墙依旧存在，甚至情况或许还在进一步恶化。”美光HBM设计架构方向专家拉古·斯里拉马内尼（Ragu Sriramaneni）于当地时间23日在美国斯坦福大学举办的半导体学术会议Hot Chips 2026上发表上述观点。内存墙指负责运算的芯片性能飞速提升，但负责传输数据的内存跟不上运算速度，由此产生的性能瓶颈。进入人工智能时代后，这一瓶颈非但没有缓解，反而愈发严重。斯里拉马内尼表示，AI芯片的运算性能每两年约提升3倍，但承担数据供给的HBM（高带宽内存）同期性能提升还不到2倍。即便搭载运算能力再强的芯片，如果数据传输通道狭窄，最终性能也会被通道速度所束缚。他预判：“打破运算单元与内存之间的边界，全新架构设计，将会是翻越内存墙的一条路径。” 斯里拉马内尼以一款将2颗GPU与8颗12层HBM4集成在一起的最新封装产品举例，该封装整体芯片面积当中，内存占比约90%。也就是说，内存占用的芯片面积，是负责运算的GPU的8倍以上。他称：“HBM体积还不及一枚邮票，却需要设计、工艺、封装技术全部完美匹配，是难度最高的产品。” 内存占用面积过大，也带来供给端的压力。要生产同等容量产品，HBM消耗的硅片晶圆数量约为普通DDR5内存的3倍。这意味着同一工厂，HBM的产出数量会被大幅压缩。斯里拉马内尼解释：“技术代际迭代，该差距还在持续拉大。速度提升、芯片尺寸变大、堆叠层数增加，都会同步推高所需芯片面积。” 散热问题也越来越成为发展阻碍。他补充，随着数据交互速率不断提高，散热已经成为设计阶段需要优先考量的约束条件。HBM为多层DRAM堆叠结构，发热最严重的底层产生的热量，需要穿透全部堆叠层，传导至带有散热装置的顶层。而DRAM一旦温度过高，就极易出现故障。他表示行业现已进入先测算散热，再搭建芯片架构的阶段，液冷散热、芯片超薄贴合等技术正成为主流解决方案。上述各类难题，都体现在美光近期开启量产的第六代产品HBM4之上。HBM将数据通路与存储单元相较上一代扩充一倍，大幅提升单次数据处理量，单颗Cube带宽可达每秒2.8TB。美光正将该产品供应给英伟达下一代AI芯片Vera Rubin。
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美光HBM专家：AI算力提速快于HBM 内存墙问题持续加剧
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支哲超发布于 2026年11月15日 15:34。
2026年11月15日 15:34

美光HBM专家：AI算力提速快于HBM 内存墙问题持续加剧古古影院热门榜单实时更新，看看大家都在追哪些好片

发布时间：2026年11月15日 15:34编辑：习雅勤阅读：4

蛋糕制作方法大全：从零基础到完美戚风的实用指南

很多人第一次尝试蛋糕制作方法时，都会遇到蛋糕塌陷、回缩、口感发硬等问题。其实家庭烘焙并不神秘，关键在于理解几个核心环节：原料比例、蛋白打发状态、翻拌手法和烘烤温度。只要把这四点掌握好，即使是零基础的新手，也能稳定做出松软细腻的蛋糕。开始之前建议先备齐基础工具：电子秤、电动打蛋器、不锈钢打蛋盆、面粉筛、硅胶刮刀和烤箱温度计，其中电子秤和温度计最能减少失败率。

以最经典的家常戚风蛋糕为例，一个8寸模具的参考配方是：鸡蛋5个、低筋面粉90克、细砂糖70克（蛋白用60克、蛋黄用10克）、牛奶50克、玉米油50克。制作时先把蛋黄与糖搅匀，加入牛奶和油搅拌至乳化，再筛入低筋面粉，用划“Z”字的方式拌至无干粉，避免过度搅拌起筋。蛋白部分分三次加入细砂糖，打至提起打蛋器呈短小直立的尖角，即硬性发泡偏干的状态，这样的蛋白霜支撑力足够，蛋糕不易塌陷。

翻拌是蛋糕制作方法中最容易出错的步骤。取三分之一蛋白霜放入蛋黄糊中，用刮刀从盆底向上翻起、同时转动打蛋盆，动作要轻快，大约十几次即可拌匀；再把混合物倒回剩余蛋白霜中，同样手法翻拌均匀。切记不要画圈搅拌，否则蛋白霜会快速消泡，烤出的蛋糕体积小、组织粗糙。拌好的面糊应细腻有光泽，倒入模具后轻震两下排出大气泡，立即送入预热好的烤箱。

烘烤温度建议上下火150℃，中下层烤50至55分钟，具体时间根据自家烤箱脾气微调。判断成熟的标准是：蛋糕涨到最高点后略有回落、表面呈均匀的金黄色，用牙签插入中心拔出无湿面糊。出炉后立刻从20厘米高处摔一下模具排出热气，然后倒扣放凉，完全冷却后再脱模，这一步对防止回缩至关重要。如果蛋糕表面开裂，多半是温度偏高或蛋白打发过度；如果底部凹陷，则可能是底火过强或出炉未及时倒扣。

掌握基础蛋糕制作方法后，还可以举一反三：把牛奶换成等量酸奶可做出酸奶蛋糕，加入可可粉或抹茶粉就能变换口味，用6寸模具时把所有材料乘以0.56即可。需要提醒的是，家庭烘焙重在反复练习与记录，每次调整一个变量并记下结果，很快就能找到适合自家烤箱和口味的稳定配方。只要耐心对待每一步，松软香甜的蛋糕并不难做。

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